SiC功率MOSFET
更新时间：2019-04-30
SiC功率MOSFET
Rohm‘s SiC MOSFET具有低阻低开关损耗的特点
罗姆氏碳化硅(SiC)MOSFET可在一系列的电流额定值和封装。它们有各种各样的电阻和电压(V)。决策支持系统)额定电压650 V，1，200 V，或1，700 V。与IGBT不同，在关断过程中没有尾流，从而提高了操作速度，降低了开关损耗。另外，与硅器件不同的是，即使在高温下，导通电阻也保持相对恒定，从而将导电损耗降到最低。给出了具有最大短路耐久时间的第二代平面电路和降低输入电容的第三代沟槽和低栅电荷模型。裸模也可达到1，700 V。
特征
低损耗快速开关
最高结温：+175°C
封装装置额定电压为650 V、1 200 V或1 700 V
关于17mΩ到1150 mΩ的抗性
SPICE模型和热模型
具有较长短路耐久时间的第二代平面技术
对车身二极管的使用没有限制
低输入电容第三代沟槽技术(C)国际空间站)和低栅电荷(Q)G)
直流阻断电压：650 V，1 200 V，1 700 V
最小开关损耗
工作温度范围：-40℃至+175℃
应用
感应加热用逆变器
电动机驱动逆变器
双向变换器
太阳能逆变器
功率调节器
